Ф. как самостоятельная лингвистическая дисциплина в её современном понимании сложилась в 20–30-е гг. 20 в.; создателями её были Н. С. Трубецкой, Р. Якобсон , С. О. Карцевский , изложившие основные идеи Ф. на 1-м Международном конгрессе лингвистов (Гаага, 1928). Важнейшей вехой в развитии Ф. была книга Трубецкого «Основы фонологии» (1-е нем. издание – 1939) – первое систематическое изложение задач, принципов и методов Ф. Однако предпосылки к созданию Ф. сложились ещё в конце 19 в. благодаря трудам нем. учёного И. Винтелера и англ. учёного Г. Суита; существенное общетеоретическое влияние на возникновение Ф. оказали труды Ф. де Соссюра и К. Бюлера . Особенно же велик вклад в подготовку почвы для развития фонологии И. А. Бодуэна де Куртенэ . Его труды впервые дают разработку идеи фонемы и сё признаков, хотя с течением времени эта концепция изменялась. На базе исследований Бодуэна де Куртенэ сложились две отечественные фонологические школы – ленинградская (Л. В. Щерба, Л. Р. Зиндер, М. И. Матусевич, Л. В. Бондарко и др.) и московская (В. Н. Сидоров, Р. И. Аванесов, П. С. Кузнецов, А. А. Реформатский, А. М. Сухотин, М. В. Панов и др.) – и оригинальная концепция С. И. Бернштейна . Основное различие между этими школами состоит в понимании фонемы и степени автономности Ф. по отношению к морфологии (роли морфологического критерия при определении тождества фонем). В европейской лингвистике проблемы Ф. разрабатывались в трудах членов Пражского лингвистического кружка – главного фонологического центра в Европе – и Лондонской фонологической школы (родоначальник – Д. Джонс; с 40-х гг. называется Лондонской лингвистич. школой); особенно значителен вклад последней в развитие суперсегментной Ф. (труды Дж. Ферса, У. Аллена, Ф. Палмера, Р. Робинса и др.) в 40–60-е гг. 20 в. В меньшей мере Ф. разрабатывалась в рамках копенгагенской лингвистической школы (см. Глоссематика ). На развитие Ф. оказали заметное влияние труды некоторых учёных, формально не принадлежавших к какой-либо школе, но идейно наиболее близких к концепции Пражского лингвистического кружка – А. Мартине, Е. Куриловича, Б. Мальмберга, А. Соммерфельта. Значительное развитие Ф. получила в амер. дескриптивной лингвистике (труды Л. Блумфилда , Э. Сепира и их учеников – М. Свадеша и У. Тводделла). Важное достижение американской Ф. (Ч. Хоккет, Г. Глисон, Б. Блок, Дж. Трейджер, К. Пайк и др.) – разработка метода дистрибутивного анализа (см. Дистрибуция ).
Лит.: Трубецкой Н. С., Основы фонологии, пер. с нем., М., 1960; Мартине А., Принцип экономии в фонетических изменениях (Проблемы диахронической фонологии), пер. с франц., М., 1960; Зиндер Л. Р., Общая фонетика, Л., 1960; Бернштейн С. И., Основные понятия фонологии, «Вопросы языкознания», 1962, № 5; Якобсон Р., Халле М., Фонология н ее отношение к фонетике, в сборнике: Новое в лингвистике, в. 2, М., 1962; Бодуэн де Куртенэ И. А., Избранные труды по общему языкознанию, т. 1–2, М., 1963; Основные направления структурализма, М., 1964; Пражский лингвистический кружок, Сб. ст., М., 1967; Реформатский А. А., Из истории отечественной фонологии. Очерк. Хрестоматия, М., 1970; Щерба Л. В., Языковая система и речевая деятельность, Л., 1974; Martinet A., Phonology as functional phonetics, L., 1949; Hoeni gswald H. М., Language change and linguistic reconstruction, Chi., 1960; Jakobson R,, Selected writings, v. I, 's-Gravenhage, 1962; Chomsky N., Halle М., The sound pattern of English, N. Y., 1968; см. также лит. при ст. Фонема .
В. А. Виноградов.
Фонон
Фоно'н (от греч. phone – звук), квант колебательного движения атомов кристалла. Колебания атомов кристалла благодаря взаимодействию между ними распространяются по кристаллу в виде волн, каждую из которых можно охарактеризовать квазиволновым вектором k и частотой w, зависящей от k : w = wn (k ), где индекс n = 1,2,..., 3 r (r – число атомов в элементарной ячейке кристалла) обозначает тип колебания (см. Колебания кристаллической решётки ). Согласно законам квантовой механики, колебательная энергия атомов кристалла может принимать значения, равные, где E0 – энергия основного состояния, – Планка постоянная . Каждой волне можно поставить в соответствие квазичастицу – Ф. Энергия Ф. равна: , квазиимпульс р = k. Число nк n следует трактовать как число Ф. Различают акустический и оптический Ф.; для акустического Ф. при р ® 0 E = sp, где s – скорость звука; для оптического Ф. при р ® 0 Emin ¹ 0 (у простых кристаллов с r = 1 оптического Ф. нет).
Ф. взаимодействуют друг с другом, с др. квазичастицами (электронами проводимости , магнонами и др.) и со статическими дефектами кристалла (с вакансиями , дислокациями , с границами кристаллитов, поверхностью образца, с чужеродными включениями). При столкновениях Ф. выполняются законы сохранения энергии и квазиимпульса. Последний является более общим, чем закон сохранения импульса (см. Сохранения законы ), т.к. суммарный квазиимпульс сталкивающихся квазичастиц, в частности Ф., может изменяться на величину 2pb, где b – вектор обратной решётки. Такие столкновения называются процессами переброса, в отличие от нормальных столкновений (b = 0). Возможность процесса переброса – следствие периодичности в расположении атомов кристалла.
Среднее число Ф. определяется формулой Планка:
где T – температура, k – Больцмана постоянная. Эта формула совпадает с распределением частиц газа, подчиняющихся статистике Бозе – Эйнштейна, когда химический потенциал равен нулю (см. Статистическая физика ). Равенство нулю химического потенциала означает, что число N ф > Ф. в кристалле не сохраняется, а зависит от температуры. Для всех твёрдых тел N ф ~ T 3 при Т ® 0 и N ф ~ Т при Т >> Qд (Qд – Дебая температура ). Понятие Ф. позволяет описать тепловые и др. свойства кристаллов, используя методы кинетической теории газов . Ф. в большинстве случаев представляют собой главный тепловой резервуар твёрдого тела. Теплоёмкость кристаллического твёрдого тела практически совпадает с теплоёмкостью газа Ф. Теплопроводность кристалла можно описать как теплопроводность газа Ф., теплосопротивление которого обеспечивается процессами переброса.
Рассеяние электронов проводимости при взаимодействии с Ф. – основной механизм электросопротивления металлов и полупроводников . Способность электронов проводимости излучать и поглощать Ф. приводит к притяжению электронов друг к другу, что при низких температурах является причиной перехода ряда металлов в сверхпроводящее состояние (см. Сверхпроводимость , Купера эффект ). Излучение Ф. возбуждёнными атомами и молекулами тел обеспечивает возможность безызлучательных электронных переходов (см. Релаксация ). В релаксационных процессах в твёрдых телах Ф. обычно служат стоком для энергии, запасённой др. степенями свободы кристалла, например электронными.
Среднюю энергию газа Ф. (как и др. квазичастиц) можно характеризовать величиной, подобной температуре обычного газа. Однако благодаря сравнительно слабой связи Ф. с др. квазичастицами фононная (или решёточная) температура может отличаться от температуры др. квазичастиц (электронов проводимости, магнонов, экситонов). В аморфных (стеклообразных) телах понятие Ф. удаётся ввести только для длинноволновых акустических колебаний, мало чувствительных к взаимному расположению атомов.
Ф. называются также элементарные возбуждения в сверхтекучем гелии , описывающие колебательное движение квантовой жидкости (см. Сверхтекучесть ).
Лит.: Займан Дж., Электроны и фононы, пер. с англ., М., 1962; Косевич А. М., Основы механики кристаллической решетки, М., 1972; Рейсленд Дж., Физика фононов, пер. с англ., М., 1975.
М. И. Каганов.
Фонотека
Фоноте'ка (от греч. phone – звук и theke – хранилище), организованное в определённой системе собрание звукозаписей (музыкальных, литературных, документальных, специальных учебных и др.); учреждение (или его подразделение), осуществляющее собирание, специальную обработку, хранение и выдачу звукозаписей. Существуют государственные, общественные и личные Ф. – универсальные и специализированные. Значительное распространение получили учебные Ф. – в общеобразовательных школах (одна из первых – в начале 20 в. в Париже), высших, средних специальных учебных заведениях, особенно музыкальных, театральных, педагогических, культурно-просветительных.
