Настройка One Bank (Один банк) вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.
Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операция считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания. Разумеется, это сильно влияет на производительность памяти.
Настройка All Banks (Все банки) вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти.
Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам. Причина состоит в том, что банки памяти уже обновлены и готовы к активации. Для активации банков системе не придется ждать их обновления. Но вы не получите никаких преимуществ вследствие того, что запросы могут быть выполнены открытыми страницами.
Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция One Bank позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения All Banks содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.
Рекомендуем выбрать настройку One Bank, чтобы улучшить производительность памяти. Значение All Banks способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.
SDRAM Page Hit Limit (Ограничение запросов для страниц SDRAM)
Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.
Контроллер памяти позволяет одновременно открывать до четырех страниц. Все открытые страницы должны находиться в различных банках (в одном банке памяти можно открывать только одну страницу). Если запрос на чтение SDRAM попадает на открытые страницы, он может быть выполнен без задержки. Это известно как достижение страницы (page hit).
Обычно достижение страниц обеспечивает наилучшую производительность памяти для запрашивающего устройства. Однако поток подобных запросов может привести к тому, что запросы, не достигающие страниц, будут отложены на длительное время. В результате различные устройства получают неравные права на доступ к памяти, что может создать проблемы для некоторых устройств.
Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.
Обратите внимание: настройка данной функции определяет максимальное количество последующих запросов с достижением страницы, причем независимо от того, поступают ли подобные запросы из одного или нескольких банков памяти. По умолчанию используется значение 8 Cycles (то есть восемь следующих друг за другом запросов с достижением страницы, или восемь циклов, как их ошибочно называют).
Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы повысить производительность памяти. Не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.
SDRAM PH Limit (Ограничение запросов SDRAM PH)
Обычные опции: 1 Cycle, 4 Cycles, 8 Cycles, 16 Cycles, 32 Cycles.
Контроллер памяти позволяет одновременно открывать до четырех страниц. Все открытые страницы должны находиться в различных банках (в одном банке памяти можно открывать только одну страницу). Если запрос на чтение SDRAM попадает на открытые страницы, он может быть выполнен без задержки. Это известно как достижение страницы (page hit).
Обычно достижение страниц обеспечивает наилучшую производительность памяти для запрашивающего устройства. Однако поток подобных запросов может привести к тому, что запросы, не достигающие страниц, будут отложены на длительное время. В результате различные устройства получают неравные права на доступ к памяти, что может создать проблемы для некоторых устройств.
Данная функция BIOS предназначена для того, чтобы уменьшить недостаток данных, который возникает в случае, если запросы, не достигающие страниц, задерживаются. Это достигается путем ограничения количества запросов, достигших страниц, которые обрабатываются контроллером памяти перед тем, как обратиться к запросу, не дошедшему до страницы.
Обратите внимание: настройка данной функции определяет максимальное количество последующих запросов с достижением страницы, причем независимо от того, поступают ли подобные запросы из одного или нескольких банков памяти. По умолчанию используется значение 8 Cycles (восемь следующих друг за другом запросов с достижением страницы, или восемь циклов, как их ошибочно называют).
Обычно значение по умолчанию (8 Cycles – 8 циклов) должно обеспечивать баланс между производительностью и свободным доступом к памяти для всех устройств. Вы можете попробовать использовать повышенное значение (16 Cycles – 16 циклов), чтобы повысить производительность памяти. Не советуем уменьшать значение: как правило, это ведет к увеличению числа прерываний на страницах.
SDRAM Precharge Control (Управление обновлением SDRAM)
Обычные опции: Enabled, Disabled.
Эта функция BIOS является аналогом функции SDRAM Page Closing Policy.
Контроллер памяти позволяет удерживать открытыми до четырех страниц одновременно. В одном банке памяти может быть открыто не более одной страницы. Если запрос на чтение из SDRAM попадает на открытую страницу, он может быть выполнен мгновенно. Конечно, это повышает производительность.
Если запрос на чтение не может быть выполнен ни одной из четырех открытых страниц, возникают две возможности. Одна страница закрывается, чтобы открыть нужную страницу, либо закрываются все открытые страницы. В любом случае запросу приходится ждать полный цикл задержки.
Данная опция определяет, должна ли при наличии пропуска страницы система сохранять все страницы открытыми (закрывая только одну текущую страницу), либо закрывать их (все текущие страницы).
Настройка Enabled вынуждает контроллер памяти закрывать только одну страницу при наличии пропуска страницы. Это позволяет системе получить доступ к другим открытым страницам всего за один цикл.
Когда возникает пропуск страницы, имеется вероятность, что будет пропущена и страница, к которой обращаются последующие данные. При выполнении долгих операция считывания это может привести к тому, что в системе возникнет до четырех циклов ожидания. Разумеется, это сильно влияет на производительность памяти.
Настройка Disabled вынуждает контроллер при наличии пропуска страницы отправлять в интерфейс SDRAM команду All Banks Precharge (Обновить все банки). Все открытые страницы закрываются (обновляются). В результате последующим операциям достаточно лишь активировать нужные банки памяти.
Это полезно в случае, если последующие запросы на чтение обращаются к пропущенным страницам. Причина состоит в том, что банки памяти уже обновлены и готовы к активации. Для активации банков системе не придется ждать их обновления. Но вы не получите никаких преимуществ вследствие того, что запросы могут быть выполнены открытыми страницами.
Как видите, обе настройки имеют свои преимущества и недостатки. Тем не менее, опция Enabled позволяет получить повышенную производительность, так как открытые страницы обеспечивают очень быстрый доступ. При использовании значения Disabled содержимое памяти обновляется чаще. Это улучшает интеграцию данных, правда, только в том случае, если вы выбрали для опции SDRAM Refresh Interval значение, которое превышает 64 мсек.
Рекомендуем выбрать настройку Enabled, чтобы улучшить производительность памяти. Значение Disabled способно повысить интеграцию данных, но, если вы не изменяете настройку параметра SDRAM Refresh Interval, это вам не понадобится.
SDRAM RAS Precharge Delay (Задержка обновления SDRAM RAS)
Обычные опции: 2, 3, 4, 5.
При запросе от любой команды чтения строка памяти активируется с помощью RAS. Чтобы считать данные из ячейки памяти, соответствующий столбец активируется с помощью CAS. Используя сигналы CAS, из одной активной строки можно считать несколько ячеек.
